GTO:n snubber-kondensaattori tehoelektroniikkalaitteissa

GTO snubber kondensaattori tehoelektroniikkalaitteissa Featured Image

Lyhyt kuvaus:

Snubber-piirit ovat välttämättömiä kytkentäpiireissä käytettäville diodeille.Se voi säästää diodin ylijännitepiikkeiltä, joita voi syntyä käänteisen palautumisprosessin aikana.

Lähetä meille sähköpostia Lataa PDF-muodossa

Tuotetiedot

Tuotetunnisteet

Tekniset tiedot

Käyttölämpötila	Max.käyttölämpötila.,Ylä,max: +85℃Ylemmän luokan lämpötila: +85℃Alemman luokan lämpötila: -40℃
kapasitanssialue	0,22～3μF
Nimellisjännite	3000V.DC～10000V.DC
Cap.tol	±5 % (J) ; ±10 % (K)
Kestää jännitettä	1,35 Un DC/10S
Häviötekijä	tgδ≤0,001 f=1KHz
Eristysvastus	C≤0,33μF RS≥15000 MΩ (20℃:ssa 100V.DC 60S) C＞0,33μF RS*C≥5000S (20 ℃ 100V.DC 60S)
Kestää iskuvirtaa	katso esite
Elinajanodote	100000h (Un; Θhotspot≤70°C)
Viitestandardi	IEC 61071;

Ominaisuus

1. Mylar-teippi, sinetöity hartsilla;

2. Kuparimutterin johdot;

3. Vastustuskyky korkealle jännitteelle, matalalle tgδ:lle, alhaiselle lämpötilan nousulle;

4. alhainen ESL ja ESR;

5. Korkea pulssivirta.

Sovellus

1. GTO Snubber.

2. Laajalti käytetty teho elektroniikkalaitteissa, kun huippujännite, huippuvirran absorptio suojaa.

Tyypillinen piiri

Piirustus piirustus

Erittely

Un=3000V.DC
Kapasitanssi (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1 (mm)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.22	35	44	52	25	1100	242	30
0,33	43	44	52	25	1000	330	35
0,47	51	44	52	22	850	399	45
0,68	61	44	52	22	800	544	55
1	74	44	52	20	700	700	65
1.2	80	44	52	20	650	780	75
1.5	52	70	84	30	600	900	45
2.0	60	70	84	30	500	1000	55
3.0	73	70	84	30	400	1200	65
4.0	83	70	84	30	350	1400	70
Un=6000V.DC
Kapasitanssi (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1 (mm)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.22	43	60	72	25	1500	330	35
0,33	52	60	72	25	1200	396	45
0,47	62	60	72	25	1000	470	50
0,68	74	60	72	22	900	612	60
1	90	60	72	22	800	900	75

Un=7000V.DC
Kapasitanssi (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1 (mm)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.22	45	57	72	25	1100	242	30
0,68	36	80	92	28	1000	680	25
1.0	43	80	92	28	850	850	30
1.5	52	80	92	25	800	1200	35
1.8	57	80	92	25	700	1260	40
2.0	60	80	92	23	650	1300	45
3.0	73	80	92	22	500	1500	50

Un=8000V.DC
Kapasitanssi (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1 (mm)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0,33	35	90	102	30	1100	363	25
0,47	41	90	102	28	1000	470	30
0,68	49	90	102	28	850	578	35
1	60	90	102	25	800	800	40
1.5	72	90	102	25	700	1050	45
2.0	83	90	102	25	650	1300	50

Un=10000V.DC
Kapasitanssi (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1 (mm)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0,33	45	114	123	35	1500	495	30
0,47	54	114	123	35	1300	611	35
0,68	65	114	123	35	1200	816	40
1	78	114	123	30	1000	1000	55
1.5	95	114	123	30	800	1200	70