Tehdasvalmisteinen IGBT-suojakondensaattori - Polypropeenikalvosta valmistettu pienihäviöinen dielektrinen suojakondensaattori IGBT-sovelluksiin – CRE

Lyhyt kuvaus:

Lähetä meille sähköpostia Lataa PDF-tiedostona

Tuotetiedot

Tuotetunnisteet

Aiheeseen liittyvä video

Palaute (2)

Innovaatio, erinomaisuus ja luotettavuus ovat yrityksemme ydinarvoja. Nämä periaatteet muodostavat tänä päivänä paljon enemmän kuin koskaan menestyksemme perustan kansainvälisesti aktiivisena keskisuurena yrityksenä.DC-Link-kondensaattori autoteollisuuteen , DC-linkkikondensaattorit tehomuuntimissa , Korkean jännitteen polypropeenikalvokondensaattoriPidämme laatua ja asiakastyytyväisyyttä etusijalla, ja siksi noudatamme tiukkoja laadunvalvontatoimenpiteitä. Meillä on omat testauslaitokset, joissa tuotteitamme testataan kaikilla osa-alueilla eri käsittelyvaiheissa. Käyttämällä uusimpia teknologioita tarjoamme asiakkaillemme räätälöityjä tuotantolaitoksia.

Tehdasvalmisteinen IGBT-suojakondensaattori - Polypropeenikalvosta valmistettu pienihäviöinen dielektrinen suojakondensaattori IGBT-sovelluksiin – CRE-tiedot:

SMJ-P-sarja

Nimellisjännitealue: 1000 VDC - 2000 VDC
Kapasitanssialue: 0,1 µF - 3,0 µF
Kiinnitysväli: 22,5 mm - 48 mm
Rakenne: Metalloitu polypropeeni, dielektrinen sisäinen sarjaliitäntä
Sovellus: IGBT-suojaus, resonanssisäiliöpiirit

Itsekorjautuvat, kuivatyyppiset suojakondensaattorielementit on valmistettu erityisesti profiloidusta, aaltoleikatusta metalloidusta PP-kalvosta, joka varmistaa alhaisen itseinduktanssin, korkean repeytymiskestävyyden ja korkean luotettavuuden. Ylipaineen aiheuttamaa irtikytkentää ei pidetä tarpeellisena. Kondensaattorin kansi on tiivistetty itsestään sammuvalla ympäristöystävällisellä epoksilla. Erityinen rakenne varmistaa erittäin alhaisen itseinduktanssin.

IMG_0397.HEIC

Tekniset tiedot

Jännite	700 V DC, Urms 400 Vac; Us 1050 V
	Halkaisija (mm)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR-arvo 100 kHz:ssä (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @ 40 ℃ @ 100 kHz (A)
0,47	42,5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0,68	42,5	24.5	27.5	10	25	480	326,4	10
1	42,5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42,5	33,5	35,5	7	25	430	645	5
2	42,5	33	35,5	6	24	420	840	15
2.5	42,5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42,5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57,5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42,5	33	45	5	23	350	1225	25
3.5	57,5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57,5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57,5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57,5	38	54	3.5	33	230	1380	28
6.8	57,5	42,5	56	3.2	32	220	1496	32
8	57,5	42,5	56	2.8	30	200	1600	33

Jännite	Un 1000V.DC, Urms 500Vac; Us 1500V
	Halkaisija (mm)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,47	42,5	24.5	27.5	11	25	1000	470	10
0,68	42,5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42,5	33,5	35,5	6	24	800	800	15
1.5	42,5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42,5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57,5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57,5	35	50	4	30	600	1800	25
3.3	57,5	35	50	3.5	28	550	1815	25
3.5	57,5	38	54	3.5	28	500	1750	25
4	57,5	38	54	3.2	26	500	2000	28
4.7	57,5	42,5	56	3	25	420	1974	30
5.6	57,5	42,5	56	2.8	24	400	2240	32

Jännite	Un 1200V.DC, Urms 550Vac; Us 1800V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,47	42,5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0,68	42,5	33,5	35,5	7	23	1100	748	12
1	42,5	33,5	35,5	6	22	800	800	14
1.5	42,5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57,5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57,5	35	50	4	28	700	1750	25
3	57,5	35	50	4	27	600	1800	25
3.3	57,5	38	54	4	27	550	1815	28
3.5	57,5	38	54	3.5	25	500	1750	28
4	57,5	42,5	56	3.5	25	450	1800	30
4.7	57,5	42,5	56	3.2	23	420	1974	32

Jännite	Jännite 1700 V DC, Urms 575 Vac; Us 2250 V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,33	42,5	24.5	27.5	12	25	1300	429	9
0,47	42,5	24.5	27.5	10	24	1300	611	10
0,68	42,5	33,5	35,5	8	23	1300	884	12
1	42,5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42,5	33	45	6	22	1200	1800	18
1.5	57,5	30	45	5	31	1200	1800	20
2	57,5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57,5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57,5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57,5	38	54	3.8	26	600	1980	28
3.5	57,5	42,5	56	3.5	25	500	1750	30
4	57,5	42,5	56	3.2	25	450	1800	32

Jännite	Un 2000V.DC, Urms 700Vac; Us 3000V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,22	42,5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0,33	42,5	33,5	35,5	12	24	1500	495	12
0,47	42,5	33,5	35,5	11	23	1400	658	15
0,68	42,5	33	45	8	22	1200	816	18
0,68	57,5	30	45	7	30	1100	748	20
0,82	42,5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57,5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57,5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57,5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57,5	42,5	56	4	23	700	1540	32

Jännite	Un 3000V.DC, Urms 750Vac; Us 4500V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,15	42,5	33	45	18	28	2500	375	25
0,22	42,5	33	45	15	27	2200	484	28
0,22	57,5	35	50	15	25	2000	330	20
0,33	57,5	35	50	12	24	1800	495	20
0,47	57,5	38	54	11	23	1600	752	22
0,68	57,5	42,5	56	8	22	1500	1020	28

Tuotteen yksityiskohdat kuvat:

Aiheeseen liittyvä tuoteopas:

Tavoitteinamme on "asiakasystävällinen, laatukeskeinen, integroiva ja innovatiivinen". "Totuus ja rehellisyys" on johtamisemme ihanteellista IGBT-suodinkondensaattorien tehdasvalmisteisuudessa - polypropeenikalvosta valmistettu pienihäviöinen dielektrinen Snubber-kondensaattori IGBT-sovelluksiin – CRE. Tuotetta toimitetaan kaikkialle maailmaan, kuten Ghanaan, Haitiin ja Brasiliaan. Tuotteemme ovat käyttäjien laajalti tunnustamia ja luottamia, ja ne pystyvät vastaamaan jatkuvasti muuttuviin taloudellisiin ja sosiaalisiin tarpeisiin. Toivotamme tervetulleeksi uudet ja vanhat asiakkaat kaikilta elämänaloilta ottamaan meihin yhteyttä tulevia liikesuhteita ja yhteistä menestystä varten!

AC-kalvokondensaattoripankki