Kiinan valmistaja DC-linkkikondensaattoreille virtalähteisiin - Metallikalvoinen IGBT-suojakondensaattori – CRE

Kiinan valmistaja DC-Link-kondensaattoreille virtalähteille - Metallikalvoinen IGBT-suojakondensaattori – CRE:n esittelykuva

Lyhyt kuvaus:

Lähetä meille sähköpostia Lataa PDF-tiedostona

Tuotetiedot

Tuotetunnisteet

Aiheeseen liittyvä video

Palaute (2)

Nautimme poikkeuksellisen erinomaisesta asemasta asiakkaidemme keskuudessa erinomaisen tuotteidemme laadun, kilpailukykyisen hintalapun ja parhaan mahdollisen tuen ansiosta.Sylinterimäinen alumiinikotelokalvokondensaattori , Kuiva tyyppinen ilmastointisuodatin , YlijännitekondensaattoriKiitos, että käytit arvokasta aikaasi vierailuusi ja odotamme innolla mukavaa yhteistyötä kanssasi.

Kiinan valmistaja DC-linkkikondensaattoreille virtalähteille - Metallikalvoinen IGBT-suojakondensaattori – CRE-tiedot:

Tekniset tiedot

Käyttölämpötila-alue	Maks. käyttölämpötila, Ylä, maks.: +105 ℃ Ylemmän luokan lämpötila: +85 ℃ Alemman luokan lämpötila: -40 ℃
kapasitanssialue	0,1 μF～5,6 μF
Nimellisjännite	700 V DC～3000 V DC
Cap.tol	±5 % (J); ±10 % (K)
Kestää jännitteen	1,5 yksikköä tasavirtaa/10 s
Häviökerroin	tgδ≤0,0005 C≤1μF f=10 kHz tgδ≤0,001 C≥1μF f=10 kHz
Eristysvastus	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (20 ℃:ssa 100 V DC 60S) C＞0.33μF RS*C≥5000S (20 ℃:ssa 100 V DC 60S)
Kestää iskuvirran	具体见规格表
Palonsuojaus	UL94V-0
Elinajanodote	100000h (Un; Θhotspot≤85°C)
Viitestandardi	IEC61071; GB/T17702;

Jännite			700 V DC, Urms 400 Vac; Us 1050 V
	Halkaisija (mm)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR-arvo 100 kHz:ssä (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @ 40 ℃ @ 100 kHz (A)
0,47	42,5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0,68	42,5	24.5	27.5	10	25	480	326,4	10
1	42,5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42,5	33,5	35,5	7	25	430	645	5
2	42,5	33	35,5	6	24	420	840	15
2.5	42,5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42,5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57,5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42,5	33	45	5	23	350	1225	25
3.5	57,5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57,5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57,5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57,5	38	54	3.5	33	230	1380	28
6.8	57,5	42,5	56	3.2	32	220	1496	32
8	57,5	42,5	56	2.8	30	200	1600	33


Jännite			Un 1000V.DC, Urms 500Vac; Us 1500V
	Halkaisija (mm)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,47	42,5	24.5	27.5	11	25	1000	470	10
0,68	42,5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42,5	33,5	35,5	6	24	800	800	15
1.5	42,5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42,5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57,5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57,5	35	50	4	30	600	1800	25
3.3	57,5	35	50	3.5	28	550	1815	25
3.5	57,5	38	54	3.5	28	500	1750	25
4	57,5	38	54	3.2	26	500	2000	28
4.7	57,5	42,5	56	3	25	420	1974	30
5.6	57,5	42,5	56	2.8	24	400	2240	32

Jännite			Un 1200V.DC, Urms 550Vac; Us 1800V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,47	42,5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0,68	42,5	33,5	35,5	7	23	1100	748	12
1	42,5	33,5	35,5	6	22	800	800	14
1.5	42,5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57,5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57,5	35	50	4	28	700	1750	25
3	57,5	35	50	4	27	600	1800	25
3.3	57,5	38	54	4	27	550	1815	28
3.5	57,5	38	54	3.5	25	500	1750	28
4	57,5	42,5	56	3.5	25	450	1800	30
4.7	57,5	42,5	56	3.2	23	420	1974	32

Jännite			Jännite 1700 V DC, Urms 575 Vac; Us 2250 V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,33	42,5	24.5	27.5	12	25	1300	429	9
0,47	42,5	24.5	27.5	10	24	1300	611	10
0,68	42,5	33,5	35,5	8	23	1300	884	12
1	42,5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42,5	33	45	6	22	1200	1800	18
1.5	57,5	30	45	5	31	1200	1800	20
2	57,5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57,5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57,5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57,5	38	54	3.8	26	600	1980	28
3.5	57,5	42,5	56	3.5	25	500	1750	30
4	57,5	42,5	56	3.2	25	450	1800	32

Jännite			Un 2000V.DC, Urms 700Vac; Us 3000V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,22	42,5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0,33	42,5	33,5	35,5	12	24	1500	495	12
0,47	42,5	33,5	35,5	11	23	1400	658	15
0,68	42,5	33	45	8	22	1200	816	18
0,68	57,5	30	45	7	30	1100	748	20
0,82	42,5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57,5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57,5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57,5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57,5	42,5	56	4	23	700	1540	32

Jännite			Un 3000V.DC, Urms 750Vac; Us 4500V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,15	42,5	33	45	18	28	2500	375	25
0,22	42,5	33	45	15	27	2200	484	28
0,22	57,5	35	50	15	25	2000	330	20
0,33	57,5	35	50	12	24	1800	495	20
0,47	57,5	38	54	11	23	1600	752	22
0,68	57,5	42,5	56	8	22	1500	1020	28

Ominaisuus

1. Muovi, hartsitiiviste;

2. Tinapäällysteiset kupariliittimet, helppo asennus IGBT:lle;

3. Korkean jännitteen kestävyys, alhainen tgδ, alhainen lämpötilan nousu;

4. matala ESL ja ESR;

5. Korkea pulssivirta.

Hyödyntämällä matalainduktanssisia sisärakenteita, valinnaisia valettuja hartsikoteloita ja räätälöityjä liittimiä, SMJ-P-sarja on suunniteltu nopeasti kytkeviä IGBTS-transistoreita varten ja sitä voidaan käyttää vaimentimina ja suurvirtaisina suurtaajuustulosuodattimina.

Tuotteen yksityiskohdat kuvat:

Aiheeseen liittyvä tuoteopas:

Olemme erikoistuneet myös asioiden hallinnan ja laadunvalvontajärjestelmän parantamiseen varmistaaksemme, että pystymme säilyttämään loistavan edun erittäin kilpaillussa yrityksessä Kiinan DC-Link-kondensaattorien virtalähteiden valmistajalle - Metallisoidun kalvon IGBT-suojakondensaattori – CRE. Tuotetta toimitetaan kaikkialle maailmaan, kuten Seattleen, Wellingtoniin ja Liettuaan. Hyödynnämme kokemustamme, ammattitaitoamme, tieteellistä hallintoamme ja edistyneitä laitteitamme varmistaaksemme tuotannon laadun. Voitamme paitsi asiakkaiden luottamuksen, myös rakennamme brändiämme. Nykyään tiimimme on sitoutunut innovaatioihin, valaistumiseen ja fuusioon jatkuvan harjoittelun, erinomaisen viisauden ja filosofian avulla. Vastaamme markkinoiden kysyntään huippuluokan tuotteille ja valmistamme ammattimaisia tuotteita.

Aksiaalinen Snubber-kalvokondensaattori