2018 Hyvälaatuiset tehokondensaattorit vaihtovirtasuodatukseen - Korkealuokkainen IGBT Snubber -kondensaattorisuunnittelu suuritehoisiin sovelluksiin - CRE

Vuoden 2018 hyvälaatuiset tehokondensaattorit vaihtovirtasuodatukseen - Korkealuokkainen IGBT Snubber -kondensaattorimuotoilu suuritehoisiin sovelluksiin - CRE Featured Image

Lyhyt kuvaus:

Lähetä meille sähköpostia Lataa PDF-muodossa

Tuotetiedot

Tuotetunnisteet

Aiheeseen liittyvä video

Palaute (2)

Olemme riippuvaisia vahvasta teknisestä voimasta ja kehitämme jatkuvasti kehittyneitä teknologioita vastaamaan kysyntäänVaihtovirtakondensaattori virranlaadun ja luotettavuuden parantamiseen , Kondensaattori defibrillaattorille , Filmikondensaattorin käyttö energian varastointimuuntimeen, Uskomme, että olet tyytyväinen kohtuulliseen hintaan, korkealaatuisiin tuotteisiimme ja nopeaan toimitukseen.Toivomme vilpittömästi, että voit antaa meille mahdollisuuden palvella sinua ja olla paras kumppanisi!

Vuoden 2018 hyvälaatuiset tehokondensaattorit vaihtovirtasuodatukseen - Korkealuokkainen IGBT Snubber -kondensaattori suuritehoisiin sovelluksiin - CRE Detail:

Tekniset tiedot

Käyttölämpötila	Max.käyttölämpötila.,Ylä,max: +105℃ Ylemmän luokan lämpötila: +85℃ Alemman luokan lämpötila: -40℃
kapasitanssialue	0,1μF～5,6μF
Nimellisjännite	700V.DC～3000V.DC
Cap.tol	±5 % (J); ± 10 % (K)
Kestää jännitettä	1,5 Un DC/10S
Häviötekijä	tgδ≤0,0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0,001 C≥1μF f=10KHz
Eristysvastus	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (20℃ 100V.DC 60S) C＞0.33μF RS*C≥5000S (20℃ 100V.DC 60S)
Kestää iskuvirtaa	katso esite
Liekinesto	UL94V-0
Elinajanodote	100000h (Un; Θhotspot≤85°C)
Viitestandardi	IEC61071;GB/T17702;

Erittelytaulukko

Jännite	Un 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
	Koko (mm)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @40℃ @100KHz (A)
0,47	42.5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0,68	42.5	24.5	27.5	10	25	480	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	430	645	5
2	42.5	33	35.5	6	24	420	840	15
2.5	42.5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57.5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42.5	33	45	5	23	350	1225	25
3.5	57.5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57.5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57.5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57.5	38	54	3.5	33	230	1380	28
6.8	57.5	42.5	56	3.2	32	220	1496	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	200	1600	33
Jännite	Un 1000V.DC, Urms 500Vac;Us1500V
	Koko (mm)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,47	42.5	24.5	27.5	11	25	1000	470	10
0,68	42.5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	800	800	15
1.5	42.5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42.5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57.5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57.5	35	50	4	30	600	1800	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	550	1815	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	500	1750	25
4	57.5	38	54	3.2	26	500	2000	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	420	1974	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	400	2240	32
Jännite	Un 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,47	42.5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0,68	42.5	33.5	35.5	7	23	1100	748	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	800	800	14
1.5	42.5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57.5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57.5	35	50	4	28	700	1750	25
3	57.5	35	50	4	27	600	1800	25
3.3	57.5	38	54	4	27	550	1815	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	500	1750	28
4	57.5	42.5	56	3.5	25	450	1800	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	420	1974	32
Jännite	Un 1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,33	42.5	24.5	27.5	12	25	1300	429	9
0,47	42.5	24.5	27.5	10	24	1300	611	10
0,68	42.5	33.5	35.5	8	23	1300	884	12
1	42.5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42.5	33	45	6	22	1200	1800	18
1.5	57.5	30	45	5	31	1200	1800	20
2	57.5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57.5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57.5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	600	1980	28
3.5	57.5	42.5	56	3.5	25	500	1750	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	450	1800	32
Jännite	Un 2000V.DC,Urms700Vac;US3000V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.22	42.5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0,33	42.5	33.5	35.5	12	24	1500	495	12
0,47	42.5	33.5	35.5	11	23	1400	658	15
0,68	42.5	33	45	8	22	1200	816	18
0,68	57.5	30	45	7	30	1100	748	20
0,82	42.5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57.5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57.5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	700	1540	32
Jännite	Un 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,15	42.5	33	45	18	28	2500	375	25
0.22	42.5	33	45	15	27	2200	484	28
0.22	57.5	35	50	15	25	2000	330	20
0,33	57.5	35	50	12	24	1800	495	20
0,47	57.5	38	54	11	23	1600	752	22
0,68	57.5	42.5	56	8	22	1500	1020	28

Tuotekuvat:

Aiheeseen liittyvä tuoteopas:

Vaadimme korkealaatuisen luomisen tarjoamista ylivertaisella yrityskonseptilla, rehellisillä tuloilla sekä parhaalla ja nopealla palvelulla.se tuo sinulle korkealaatuisen ratkaisun ja valtavan tuoton lisäksi pohjimmiltaan merkittävin on yleensä valloittaa loputtomat markkinat 2018 Hyvälaatuiset tehokondensaattorit vaihtovirtasuodatukseen - Korkealuokkainen IGBT Snubber -kondensaattori suuritehoisiin sovelluksiin – CRE, Tuotetta toimitetaan kaikkialle maailmaan, kuten: Slovakia, Georgia, Ukraina, Tuotteemme ovat saaneet yhä enemmän tunnustusta ulkomaisilta asiakkailta ja luoneet heidän kanssaan pitkäaikaisia yhteistyösuhteita.Tarjoamme parasta palvelua jokaiselle asiakkaalle ja toivotamme ystävät tervetulleiksi työskentelemään kanssamme ja luomaan molemminpuolisen hyödyn yhdessä.

AC-kalvokondensaattori

Räätälöity AC-kondensaattori

Dc-Link-kondensaattori uusiutuviin energiajärjestelmiin

Filmikondensaattori röntgenilmaisimelle

Harmoninen resonanssikondensaattori

Korkeajännitekondensaattori Tesla Coilille

Korkeajännitteinen tasavirtakondensaattori

Teollisuuskondensaattorit myytävänä

Radial Film kondensaattori

Snubber Film -kondensaattori

Tämä valmistaja pystyy jatkuvasti parantamaan ja täydentämään tuotteita ja palveluita, se on markkinoiden kilpailun sääntöjen mukainen, kilpailukykyinen yritys.

Kirjailija Agustin Bangkokista - 29.09.2017 11:19

Yrityksellä on rikkaat resurssit, kehittyneet koneet, kokeneet työntekijät ja erinomaiset palvelut, toivottavasti jatkat tuotteiden ja palveluiden parantamista ja parantamista, toivotan sinulle parempaa!

Nina Iranista - 12.11.2018 14:13